2026年5月26日，由中国电机工程学会电力电子器件专业委员会（以下简称“专委会”）、中国电力科学研究院有限公司联合主办的“新型电力系统下的电力电子器件创新与应用专题技术研讨会”在北京召开。来自高校、科研院所以及企业的35位专家代表参会，围绕电力电子器件技术创新、应用需求及2026年度专业发展报告编制工作开展交流研讨。

       会上，专委会主任委员邱宇峰作《高压大容量功率器件技术发展与展望》专题报告。报告指出，在“双碳”目标和新型电力系统建设背景下，光伏储能、风力发电、直流输电、柔性输配电、轨道交通等场景对高压、大电流、高可靠功率器件需求持续增长。当前，晶闸管、IGBT、IGCT等硅基器件仍是高压大容量应用主力，并正围绕更高容量、更低损耗、更高结温和更强可靠性持续升级。碳化硅器件具备高耐压、低损耗、高频化等优势，将在高压应用中加快推广；氮化镓器件在高频高速场景优势明显，未来有望在部分高压场景与碳化硅形成竞争和互补。

       国家第三代半导体技术创新中心行业研究部主任张志国作《第三代半导体功率电子现状与发展趋势》专题报告。报告指出，我国第三代半导体产业已在材料端取得重要突破，但在功率器件市场份额、专用装备国产化、关键工艺稳定性和工程可靠性等方面仍需进一步提升。

       会议还围绕2026年度电力电子器件专业发展报告大纲进行了研讨。与会专家就报告框架、重点章节、关键技术方向、编写分工和进度安排提出意见建议，认为报告应突出新型电力系统应用需求，系统梳理硅基、宽禁带和超宽禁带半导体技术进展，强化工程应用、可靠性评价、标准体系和产业链协同等内容。

       本次会议进一步凝聚了行业共识。下一步，专委会将持续发挥学术交流和产业协同平台作用，聚焦新型电力系统关键需求，推动功率半导体器件技术攻关、应用验证和标准体系建设，为能源绿色低碳转型和新型电力系统高质量发展提供支撑。